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DEME TFSI——下一代電子存儲器的節能潛力

2018-05-27 12:04:15 adman 1984

我公司專門提供DEME TFSI

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科學家們在《自然》雜志上發表DEME-TFSI重要應用,發現通過注入或摻雜電子來可逆改變二維材料的原子結構的方法。這個過程比目前的方法使用的能量要少得多,以改變材料結構的結構。

“我們第一次表明,有可能通過注入電子來驅動材料中的結構相變,”研究的主要研究者向張、伯克利實驗室材料科學系的高級教員、加州大學伯克利分校的教授說。通過在物質中加入電子,總能量上升并使平衡失去平衡,從而使原子結構重新排列成一種更穩定的新模式。這種電子摻雜驅動的二維極限結構相變不僅在基礎物理中很重要,而且在下一代超薄器件中也為新的電子存儲器和低功率開關打開了大門。


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標簽:    N,N-Diethyl-2-methoxy-N-methylethanaminium bis[(trifluoromethyl)sulfonyl]azanide DEME TFSI DEME